9月28日音书，俄罗斯狡计机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov近日通过X平台曝光了俄罗斯最新的光刻机研发门路图，清爽俄罗斯最快将在2026年完成65-40nm分辩率的光刻机的研发，2032年前完成28nm分辩率的光刻机的研发，并最终在2036年底前完成不错坐蓐10nm以下先进制程的全新极紫外线光（EUV）光刻机的研发。
其实，早在2024年12月，俄罗斯科学院微不雅结构物理研讨所就照旧公布由其主导研发的EUV光刻机想象，该EUV光刻机将汲取波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的步骤13.5nm波长，认识是打造比ASML 系统更经济的EUV光刻机。而最新曝光的俄罗斯光刻机门路图则比较之前获得了进一步完善，研发周期也一直蔓延到了2036年。
具体来说，俄罗斯光刻机门路图包括三个主要阶段：
第一阶段：想象于 2026 年至 2028 年推出分辩率为 60-40nm 的光刻机，具有双镜物镜光学系统、套刻精度不错达到10nm、曝光区域为 3 x 3mm，坐蓐效果为每小时跳跃 5 片晶圆。
第二阶段：想象于2029-2032 年推出分辩率为 65-28nm （后劲为 14 nm）的光刻机，将汲取四镜物镜光学系统、套刻精度5nm、曝光区域为26 x 0.5 mm，坐蓐效果为每小时跳跃50片晶圆。
第三阶段：想象于2033-2036 年推出分辩率为 28-13nm（后劲为9nm）的光刻机，将汲取六镜物镜光学系统、套刻精度2nm、曝光区域为26 x 2 mm，坐蓐效果将训导至每小时跳跃100片晶圆。
需要指出的是，俄罗斯的光刻机路研发工夫门路与ASML十足不同。比如，ASML 的 EUV 光刻机汲取的是激光轰击金属锡滴产生13.5nm波的EUV光源，然后通过反射镜集会并修正门路，最终达到晶圆标明的光刻胶。然而金属锡会产生碎片，从而耻辱光掩模（也称光罩）。
比较之下，而俄罗斯光刻机则采用汲取的是基于氙（xenon）气的激光器来产生波长为11.2nm的EUV光源，不仅能将分辩率训导约20%，还不错简化想象并裁汰通盘光学系统的老本。
此外，该想象还可减少光学元件的耻辱，延长集会器和保护膜等要道零件的寿命。
俄罗斯科学院微不雅结构物理研讨所称，由于光刻工艺的简化，其觉得11.2nm的光刻工夫将成为着实的193nm浸没式DUV光刻机的真的替代品，这主要在于其无需浸没系统，且分辩率高，老本便宜。
然而，俄罗斯的这个EUV光刻机门路并不单是是更正汲取 11.2nm 的激光器这样简便。
尽管11.2nm波长仍属于EUV界限，但这并非单纯的小幅调遣。因为所有光学元件包括反射镜及涂层、光罩想象以及光阻剂，皆需要针对新的波出息行独特想象与优化。
比如，ASML EUV光刻机的反射镜汲取的是硅与钼的镀膜反射镜，而11.2nm波长的EUV光刻机则需要由钌和铍（Ru/Be） 制成的反射镜。
是以，激光光源、反射镜、光阻化学、耻辱达成偏执他撑合手工夫也须重新想象，才能确保在11.2nm波长下的灵验运作。
是以，以11.2nm波长为基础的器用很难径直兼容现存以13.5nm为基础EUV 架构与生态系统，甚而连电子想象自动化（EDA）器用也需要进行更新。
固然现存EDA 器用仍可完成逻辑详细、布局和路由等基本才智，但触及曝光的要道制程，如光罩数据准备、光学周边改良（OPC）息争析度增强工夫（RET），则需要重新校准或升级为妥当11.2nm的新制程模子。
回首来说，俄罗斯的自研的EUV光刻机工夫固然简化了原来复杂的光源系统，并裁汰了这部分的老本，然而其并不可复用现存的EUV工夫的零部件和材料，因此也会带来好多的复杂性和老本的挑战，需要俄罗斯自行成立配套的生态系统，而这可能需要数年甚而十年以上时辰。
更为要道的是，俄罗斯研发的EUV光刻机还濒临着坐蓐效果低下的问题。
固然曝光的图片清爽，其第三阶段推出的EUV光刻机的坐蓐效果可达每小时跳跃100片晶圆，然而这唯一ASML EUV光刻机的一半。
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